类 型：
频 道：
关键字：
 
 
   位置： 中华职工学习网 >> 职工学习中心 >> 金属冶炼、轧制人员 >> 半导体材料制备人员
 
  半导体材料制备人员
有感知反应的智能材料
    20世纪90年代初，在美国弗吉尼亚理工学院和弗吉尼亚州立大学挂出了一个“智能材料研究中心”的牌子．科学家们正在研究各种办法，试图使飞机上的关键结构具有自己的“神经系统”、“肌肉”和……
神通广大的液晶
    液晶问世较早。1888年，奥地利科学家F.•赖尼策尔就发现了这种奇特的物质。……
化学机械抛光中的硅片夹持技术
    集成电路（IC）制造是电子信息产业的核心，是推动国民经济和社会信息化发展最主要的高新技术之一。发达国家国民经济总产值增长部分的65%与IC工业相关，而全球90%以上的IC都要采用硅……
米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术
    近几年来，IC芯片设计、芯片制造、测试和封装技术都取得了长足的进展，整个产业链的各个环节都在配套发展。“中国芯”与“外国芯”制造水平的差距正在缩短。尽管芯片特征尺寸0.25~0.1……
重掺硅衬底材料中氧沉淀研究进展
    器件性能的提高，需要器件工艺的改善，另外还要有基础材料质量的保证。材料的发展更能促进器件发展的飞跃,而材料的性能又取决于其内部结构。半导体硅材料以丰富的资源、优质的特性、日臻完善的……
半导体硅片金属微观污染机理研究进展
    随着ULSI技术的不断向前发展，对半导体硅的表面性质要求也越来越严格。而且电路的集成度日益提高，单元图形的尺寸日益微化，污染物对器件的影响也愈加突出，以至于洁净表面的制备已成为制作……
对抛光片清洗技术的研究
    目前在半导体工业生产中，普遍采用的清洗工艺是改进的RCA清洗技术，多年来，人们对RCA清洗技术的清洗效果进行了深入的研究，kern证明RCA工艺可在硅片的表面形成1～1.5nm的氧……
ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化
    由于铝自身的性质，导致传统的铝布线工艺制作的器件经常会因铝的电迁移而失效，随着ULSI特征尺寸的进一步减小，布线层数增加、宽度也随之变细，这个问题也变得更加突出。而铜的多层布线恰恰……
微制造光刻工艺中光刻胶性能的比较
    光刻加工工艺中为了图形转移，辐照必须作用在光刻胶上，通过改变光刻胶材料的性质，使得在完成光刻工艺后，光刻版图形被复制在圆片的表面[1]。而加工前，如何选用光刻胶在很大程度上已经决定……
硅片翘曲对光刻条宽均匀性的分析
    在集成电路制造中，光刻质量的好坏是影响产品成品率的主要因素之一，条宽均匀性是衡量光刻质量的两大指标之一。随着集成电路特征尺寸的缩小，步进光刻机在生产中得到了普遍的应用，硅片的翘曲对……
GaN薄膜生长实时监控系统的实现
    由于氮化镓（GaN）材料在光电子及微电子领域有巨大的应用前景，GaN基材料成为近年来世界各国竞相研究和开发的新一代宽带隙半导体材料。但由于缺乏大尺寸的GaN基体材料，所以只能在其他……
n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制
    高阻n型〈111〉硅单晶被广泛用在功率器件方面。近年来许多功率器件厂家为提高成品率，对硅单晶的电阻率径向均匀性提出了更为严格的要求。普遍要求n型〈111〉Φ100mm硅单晶片的电阻……
半导体晶圆制造中的设备效率和设备能力
    半导体工业极大依赖于半导体制造设备的投资，而且是同步增长的。随着设备的硅片尺寸大直径化、设备的高精度化、自动化，设备价格日益昂贵化，工艺线的设备总投资更是成倍地增长。对工艺线来说，……
纳米晶存储特性的研究
    在室温下工作的Si纳米晶MOSFET存储器件有体积小、低能耗、高剂量、快速擦写和可多次循环使用的特点，在未来的超大规模集成电路中有着重要的应用前景。这种存储器件可在约3V的低压下工……
钴镍与多晶锗硅的固相反应和肖特基接触特性
    近年来，多晶锗硅(poly-Si1-xGex)及其器件的研究引起了较多关注。在集成电路某些应用中，它有可能是比多晶硅更好的选择[1-7]。高掺杂poly-Si1-xGex具有可变的……
共 20 篇 15篇/页 1/2页 首页 上一页 下一页 尾页 转到：