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1.ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化
更新时间：2007年5月23日   来源：中华职工学习网
    由于铝自身的性质，导致传统的铝布线工艺制作的器件经常会因铝的电迁移而失效，随着ULSI特征尺寸的进一步减小，布线层数增加、宽度也随之变细，这个问题也变得更加突出。而铜的多层布线恰恰能避免这一问题的出现，因此在深亚微米工艺中（0.18μm及以下），铜将逐步代替铝成为硅片上多层布线的材料。现在，已被普遍承认的是，对于最小特征尺寸在0.35μm及以下的器件，必须进行全局平面化，而化学机械抛光（CMP）是最好的也是唯一的全局平面化技术。 [详情……]
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